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Proceso EUVL
Proceso EUVL

El proceso EUVL

Para terminar nuestro artículo sobre los chips EUVL, veremos el proceso de fabricación de estos pequeños elementos. Un láser es direccionado a un contenedor de gas xenón. Cuando el láser golpea el gas, lo calienta y crea plasma. Una vez que el plasma es creado, los electrones comienzan a desprenderse y empieza a irradiar luz a 13 nanometros, lo cual es demasiado pequeño para que lo vea el ojo humano. La luz se transfiere dentro de un condensador que consigue guardar la luz para que sea dirigida a la máscara. Una representación de un nivel del chip de ordenador es dibujado en un espejo aplicando un absorbedor en algunas partes de dicho espejo pero no a las otras. Esto crea la máscara. El esquema que se ha dibujado en la máscara es reflectado en una serie de cuatro o seis espejos curvados, reduciendo el tamaño de la imagen y centrándolo en la silicona. Cada espejo dobla la luz levemente para formar la imagen que será transferida. Esta es la manera que las lentes de una cámara doblan la luz para formar una imagen en una película. Todo el proceso se basa en la longitud de onda. Si haces que la longitud de onda sea corta, tendrás una mejor imagen. Esto se puede pensar en términos de hacer una foto fija con una cámara.


Cuando haces una fotografía de algo, la calidad de la imagen depende de muchas cosas. La primera cosa de la que depende es la longitud de onda de la luz que estás usando para hacer la fotografía. Cuanto más corta sea la longitud de onda, mejor será la imagen. Basándose en la ley de que las longitudes de onda más pequeñas crear una imagen más buena, la luz de 13 nanometros aumentará la calidad del patrón proyectado contra la silicona, y por ello mejorando la velocidad del microprocesador. El completo proceso debe ser hecho al vacío porque las longitudes de onda de la luz son tan cortas que incluso el aire las podría absorber. De forma adicional, EUVL usan espejos cóncavos y convexos con múltiples capas de silicona y otros componentes - esta cubierta de material puede reflectar más del 65 por ciento la luz EUV con una longitud de onda de más de 13 nanómetros. El resto del porcentaje es absorbido por el espejo. Sin la cubierta, la luz sería casi totalmente absorbida antes de llegar a su destino. Las superficies de los espejos tienen que estar rayando la perfección; incluso los pequeños defectos pueden destruir la forma de las ópticas y distorsionar los patrones de los circuitos impresos. Esto puede causar problemas en la funcionalidad del chip.

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